GoatMobile
INFO

Miért csatlakozz?

Kredit rendszer

Gyűjts krediteket aktivitásodért és lépj szintet!

GoatChat

Csevegj a közösséggel valós időben!

Hozzászólások

Kommentelj a hírekhez és oszd meg véleményed!

Egyedi profil

Személyre szabott profiloldal és avatar!

Rangsor & Rangok

Küzdj a top helyekért a ranglistán!

🐐 Csatlakozom!

Ingyenes és gyors regisztráció

Tech hírek

Már tesztmintákat szállít a Samsung az új HBM4E memóriából

Kecskés István
0 hozzászólás
Már tesztmintákat szállít a Samsung az új HBM4E memóriából

A Samsung megkezdte az új HBM4E memória tesztmintáinak szállítását ügyfelei számára. A vállalat még februárban indította el a HBM4 memória kiszállítását, akkor pedig azt ígérte, hogy az év későbbi részében az erősebb HBM4E változat is eljut a partnerekhez. Ez most megtörtént, az új generáció pedig nagyobb kapacitást, magasabb sávszélességet és kedvezőbb hőkezelést ígér.

Nagyobb kapacitás ugyanazzal a 12 réteges felépítéssel

A Samsung jelenlegi HBM4E dizájnja 12 réteges konfigurációt használ, amellyel 48 GB-os kapacitást ér el. Ez jelentős előrelépés a HBM4 36 GB-os értékéhez képest, vagyis ugyanazon rétegszám mellett nagyobb memóriakapacitás áll rendelkezésre.

A vállalat emellett további változatokon is dolgozik. Készül 32 GB-os, 8 réteges, valamint 64 GB-os, 16 réteges HBM4E konfiguráció is, hogy az ügyfelek rugalmasabban építhessék be a memóriát saját AI- és nagy teljesítményű számítási rendszereikbe.

kép

Gyorsabb adatátvitel az AI-rendszerekhez

A kapacitásnövekedés mellett a HBM4E sebességben is előrelépést hoz. A Samsung szerint az új memória nagyjából 20 százalékkal gyorsabb, a tűnkénti adatátviteli sebesség pedig 14 Gbps-ra nőtt. A teljes sávszélesség egy stack esetében 3,6 TB/s lehet.

Összehasonlításként a HBM4 tűnkénti sebessége 11,7 Gbps. A nagyobb sávszélesség különösen az AI-gyorsítók, adatközponti rendszerek és nagy teljesítményű számítási feladatok szempontjából fontos, ahol a memóriakapacitás mellett az adatmozgatás sebessége is kritikus tényező.

Hatékonyabb és könnyebben hűthető lett az új memória

A HBM4E a Samsung hatodik generációs, „1c” jelölésű, 10 nanométeres osztályú memórialapkáira és egy 4 nanométeres logikai alaplapkára épül. A vállalat a dizájnt energiahatékonysági szempontból is átdolgozta, ennek eredményeként a memória 16 százalékkal kedvezőbb fogyasztási mutatókat kínálhat.

Ez nemcsak az energiafelhasználás miatt fontos, hanem a hőtermelés szempontjából is. A Samsung szerint az új kialakítás legalább 14 százalékkal csökkenti a hőellenállást, vagyis a memória könnyebben hűthető. Ez a modern AI-szervereknél különösen lényeges, ahol a teljesítmény mellett a hűtési igény és az energiahatékonyság is egyre nagyobb kihívás.

A jövőben még tovább gyorsulhat a HBM4E

A Samsung szerint a HBM4 gyártási kapacitása folyamatosan bővül, a HBM4E pedig tovább gyorsíthatja az AI-rendszerek fejlődését. A mostani 14 Gbps-os tűnkénti sebesség ráadásul nem feltétlenül a végállomás: a vállalat szerint a jövőben akár 16 Gbps-ra is növelhető a sávszélesség.

Ez arra utal, hogy a Samsung nem egyszeri frissítésként tekint a HBM4E-re, hanem olyan platformként, amely a következő időszakban tovább skálázható. Az AI-piac gyors növekedése miatt ez stratégiai szempontból is fontos lehet, hiszen a memória ma már az egyik legfontosabb szűk keresztmetszet a nagy számítási teljesítményű rendszereknél.

A Samsung az AI-memóriapiac növekedésére készül

Sang Joon Hwang, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ügyvezető alelnöke szerint a HBM4 sikeres tömeggyártása után a vállalat a HBM4E-vel ismét demonstrálta technológiai előnyét. A Samsung a fejlett gyártási képességekre és az előzetes infrastruktúra-beruházásokra építve szeretné tovább erősíteni szerepét a globális AI-memóriapiacon.

A HBM4E érkezése jól mutatja, hogy az AI-hardverek fejlődése már nemcsak a gyorsítóchipekről szól. A nagy kapacitású, gyors és hatékony memória legalább ennyire fontos része annak, hogy a következő generációs szerverek, adatközpontok és AI-rendszerek nagyobb teljesítményt tudjanak nyújtani kezelhető fogyasztás mellett.

Forrás és képek: Samsung

#Samsung #Samsung Electronics #HBM4E #HBM4 #memória #AI hardver #mesterséges intelligencia #adatközpont #félvezetőipar #nagy sávszélességű memória #AI gyorsítók #4 nm #memóriafejlesztés #szerverhardver
Megosztás:

Hozzászólások (0)

Hozzászóláshoz jelentkezz be!

Bejelentkezés

Még nincsenek hozzászólások. Légy te az első!

🍪 Cookie-kat használunk

Weboldalunk cookie-kat használ a működéshez és a felhasználói élmény javításához. Az oldal használatával elfogadod az Adatkezelési tájékoztatóban leírtakat.

Részletek